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墨記 ? 來源︰電子發燒友網 ? 作者︰he)嘔劬/span> ? 2020-04-09 05:40 ? 次閱讀(du)
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抗擊(ji)疫情(qing)的(de)硬仗(zhang)還(huai)沒打(da)完(wan),疫後重(zhong)建的(de)硬仗(zhang)已經打(da)響了,動(dong)力就是“新基建”。什麼(me)ci)恰靶祿 保扛哺大領域︰5G基建、特高壓、城際(ji)高鐵和(he)tong)羌ji)軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shu)據中心、人工智能、工業互聯網。

事(shi)實上,“新基建”並不(bu)是一(yi)個新概念,早在2018年底召(zhao)開的(de)中央經濟工作會議上就明確了5G、人工智能、工業互聯網、物聯網等(deng)“新型(xing)基礎設施(shi)建設”的(de)定位,隨後“加強新一(yi)代信息基礎設施(shi)建設”被列入2019年政府工作報告。2020年開年的(de)首場國(guo)務院(yuan)常務會議也明確提出,大力發展先進制(zhi)造(zao)業,出台信息網絡等(deng)新型(xing)基礎設施(shi)投資支持zhong)擼 平(ping)悄塴 躺 zhi)造(zao)。
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數(shu)字經濟的(de)發展離不(bu)開5G、大數(shu)據、人工智能、雲計算等(deng)新lu)際(ji)醯de)支撐。這(zhe)些既是基礎設施(shi),又是qie)灤瞬chan)業,一(yi)頭(tou)連著巨大的(de)投資與(yu)需求,一(yi)頭(tou)牽著不(bu)斷(duan)升級的(de)消費市場,必將成為(wei)中國(guo)經濟增長的(de)新引(yin)擎。

七大“新基建”背(bei)後的(de)半導(dao)體機會

過去的(de)一(yi)年,受全(quan)球貿易波動(dong)、半導(dao)體終(zhong)端產(chan)品跌價、智能手機銷(xiao)量(liang)逐漸飽和(he)等(deng)因素的(de)影(ying)響,半導(dao)體行業僅出現微(wei)弱增長,一(yi)些細分zhi) 蟶踔zhi)出現負增長。但是,2020年半導(dao)體整體大環境將出現轉機,5G、新能源汽車、大數(shu)據、人工智能等(deng)七大“新基建”,將為(wei)半導(dao)體行業dang)de)復甦帶來轉機。
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首先看5G基建。自(zi) 2019 年工信部 5G 商用啟動(dong)以(yi)來,三大運(yun)營商tao)諶quan)國(guo)的(de)基站建設腳(jiao)步不(bu)斷(duan)加快。近(jin)來,中國(guo)移動(dong)表示今年建設30萬(wan)個5G基站的(de)目標(biao)不(bu)變,中國(guo)聯通和(he)中國(guo)電信將力爭前三季度完(wan)成全(quan)年25萬(wan)基站的(de)建設目標(biao)。業界預測(ce),2020年我國(guo)建設5G基站70萬(wan)座,2024年共建設554萬(wan)座。對半導(dao)體行業來說(shuo),除了5G通信網絡的(de)建設為(wei)其(qi)帶來了大量(liang)的(de)中下游(you)的(de)新增需求之(zhi)外,也成為(wei)2020年半導(dao)體市場回暖的(de)主要(yao)動(dong)力。
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5G終(zhong)端市場方面,多類型(xing)終(zhong)端形態的(de)持續推出有(you)利于打(da)造(zao)5G全(quan)場景(jing)新生態,終(zhong)端設備市場規模今年將出現新一(yi)輪(lun)增長。根據賽迪顧問年初的(de)預測(ce),隨著終(zhong)端市場的(de)進一(yi)步打(da)開,5G基帶芯片和(he)射頻芯片等(deng)關鍵元器(qi)件(jian)的(de)需求將大幅上升。細分環節方面,為(wei)降dang)橢zhong)端體積(ji)、改善終(zhong)端功耗(hao),5G終(zhong)端基帶芯片將持續向高集成度的(de)SoC芯片方向發展;在央地聯動(dong)的(de)政策引(yin)導(dao)與(yu)鼓勵(li)下,華為(wei)海思、紫光展銳、卓勝微(wei)、中興微(wei)電子yong)deng)國(guo)內(na)企(qi)業有(you)望切(qie)入中高端射頻di)酒  頡br />?
工業互聯網的(de)驅(qu)動(dong)力也不(bu)容忽視,它與(yu)5G更像是“你(ni)中有(you)我,我yi)杏you)你(ni)”的(de)狀ci) 2bu)同于4G時代之(zhi)前以(yi)人為(wei)本的(de)路線,5G最根本的(de)區別(bie)就在于工業場景(jing)。5G、邊(bian)緣dao)撲恪 笫shu)據、超高清視頻、AR/VR等(deng)先進技ji)跤you)望在工業領域融合發展。工業和(he)信息化部部長苗圩(xu)就曾(zeng)指fu)觶 蠢0%的(de)5G應用場景(jing)會在工業互聯網。不(bu)huai) 謖zhe)個巨大的(de)市場機遇(yu)面前,國(guo)內(na)半導(dao)體廠商tao)詿 砥qi)、傳感(gan)器(qi)、微(wei)控制(zhi)po)qi)、通信芯片和(he)功率半導(dao)體等(deng)核心器(qi)件(jian)方面仍主要(yao)集中xing)謚械投聳諧。 D廡酒 矯婕負醣還(huai)ji)巨頭(tou)壟(long)斷(duan),這(zhe)是既須正視yong)de)現實,也是努力的(de)方向。
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大數(shu)據中心、人工智能,這(zhe)兩個動(dong)因將對半導(dao)體產(chan)業帶來密不(bu)可分的(de)影(ying)響。大數(shu)據中心的(de)建設,將加大對服務器(qi)、存儲設備、網絡設備、安(an)全(quan)設備、光模塊等(deng)需求。基礎半導(dao)體存儲技ji)跣枰yao)加速(su)創新,特別(bie)是NAND和(he)DRAM的(de)可擴展性(xing)。存儲器(qi)生產(chan)和(he)消費之(zhi)間的(de)差(cha)距、降dang)投怨guo)外存儲器(qi)件(jian)的(de)依(yi)賴、新興應用的(de)存儲需求等(deng),都需要(yao)政府與(yu)企(qi)業de)ν平(ping) wei)下一(yi)代存儲技ji)醯de)發展做好準備。
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人工智能涉及大量(liang)的(de)數(shu)據處理任務,對于算力的(de)巨大需求,引(yin)爆了國(guo)內(na)半導(dao)體創業deng)瘸鋇de)同時也帶來新一(yi)輪(lun)彎道超車dang)de)機遇(yu)。相較于CPU一(yi)枝獨秀的(de)年代,開放(fang)的(de)研究生態,多樣化的(de)技ji)趼廢擼PU、GPUFPGAASIC、類腦(nao)芯片等(deng)共同推動(dong)著AI算力的(de)架構創新。值dang)靡yi)提的(de)是,5G、IoT與(yu)AI在邊(bian)緣、端側的(de)融合發展,將進一(yi)步推ping)bian)緣推理半導(dao)體芯片市場規模的(de)增長。該市場未來的(de)競(jing)he) 蛹ji)烈,除了計算芯片本身,在軟件(jian)工具、制(zhi)程封裝、存儲、互聯、安(an)全(quan)等(deng)方面,全(quan)棧式的(de)能力將變得越來越重(zhong)要(yao)。除了海思、紫光展銳、中星微(wei)這(zhe)些資深玩家,造(zao)芯新勢力也在迅速(su)崛起,甚至(zhi)不(bu)乏阿里、百(bai)度qu) 窳Α 妊塹險zhe)樣的(de)跨界選手。
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人工智能也在推動(dong)先進制(zhi)程的(de)加速(su)演進。據IBS預測(ce),到2025年,全(quan)球10nm/7nm 制(zhi)程 (gui)晶圓代工出貨量(liang)將達220萬(wan)片,相比目前翻了一(yi)番。為(wei)滿足各類AI創新應用、海量(liang)數(shu)據傳輸(shu),以(yi)及算法演進需求,芯片效能在不(bu)斷(duan)提高的(de)同時,還(huai)必須降dang)統(tong)殺荊  賢夤EUV)等(deng)技ji)蹺蠢唇 繆莞wei)關鍵的(de)角色。
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特高壓、城際(ji)交通、新能源汽車dang)de)發展,無疑將共同驅(qu)動(dong)第三代功率半導(dao)體的(de)加速(su)發展。在傳統(tong)電網的(de)升級、高速(su)列車、新能源汽車dang)de)核心動(dong)力系統(tong)中xiao) 夜guo)發展第三代半導(dao)體得到了國(guo)家yi)叩de)支持,是我國(guo)實現產(chan)業戰略升級和(he)低碳經濟的(de)重(zhong)要(yao)途徑,將SiC等(deng)第三代半導(dao)體材料器(qi)件(jian)用于電機驅(qu)動(dong)等(deng)環節將大幅提高功率密度並降dang)駝宄殺盡F裎wei)止,我國(guo)已有(you)四條4/6英寸SiC生產(chan)/中試(shi)線和(he)三條GaN生產(chan)/中試(shi)線相繼投入使用,並在建多個與(yu)第三代半導(dao)體相關的(de)研發中試(shi)平(ping)台。國(guo)產(chan)化的(de)單晶襯底、外延片所佔ji)諧》fen)額不(bu)斷(duan)擴大,國(guo)產(chan)化的(de)SiC二極管和(he)MOSFET開始進入市場。不(bu)huai) 諭tou)部廠商取(qu)得成績(ji)的(de)背(bei)後,我國(guo)整體實力和(he)產(chan)業化能力的(de)提升,有(you)待進一(yi)步加強。

如(ru)何看待“新基建”對半導(dao)體的(de)拉動(dong)效應?

如(ru)何看待“新基建”的(de)驅(qu)動(dong)效應?筆者認為(wei),除了對經濟的(de)拉動(dong)作用,“新基建”給了中國(guo)硬科技ji)蔥賂蟺de)發揮(hui)空間,從(cong)yong)撞慊【際(ji)踔?派轄 茉zao)新的(de)國(guo)際(ji)競(jing)he)攀啤br />?
今年是全(quan)面建成小(xiao)康社(she)會和(he)“十三五”規劃收官之(zhi)年,要(yao)努力實現全(quan)年經濟社(she)會發展目標(biao)任務,必須發揮(hui)好有(you)效投資關鍵作用。從(cong)拉動(dong)經濟增長需求而言(yan),七大“新基建”勢必要(yao)挑起大梁。從(cong)疫情(qing)爆發以(yi)來,人工智能、大數(shu)據、5G等(deng)都已發揮(hui)出積(ji)極的(de)作用,有(you)望在疫情(qing)刺(ci)激(ji)下lu)鈾su)推ping)br />?
那麼(me),又該如(ru)何看待“新基建”對我國(guo)半導(dao)體產(chan)業dang)de)影(ying)響?作為(wei)關鍵核心技ji)踔?牛 yi)方面,新基建將帶來大量(liang)新增需求。同時,基于自(zi)主可控的(de)要(yao)求,“新基建”有(you)望引(yin)導(dao)我國(guo)半導(dao)體產(chan)業進入新一(yi)輪(lun)發展周期。
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2020年,國(guo)產(chan)替代會繼續成為(wei)國(guo)內(na)半導(dao)體產(chan)業發展的(de)主線,且yi)韉dao)企(qi)業可能從(cong)華為(wei)等(deng)代表企(qi)業擴大到更多的(de)國(guo)產(chan)系統(tong)廠商,實現替代的(de)產(chan)品也將從(cong)中低端升級到存儲、模擬、射頻dang)deng)更多戰略級通用或(huo)更多量(liang)大面廣的(de)高端產(chan)品上。
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其(qi)次,除了半導(dao)體設計環節,加速(su)建立完(wan)整、獨立自(zi)主核心技ji)醯de)國(guo)產(chan)半導(dao)體工業體系是大勢所趨(qu),需要(yao)代工、封裝、測(ce)試(shi)以(yi)及配套(tao)設備、材料等(deng)更多環節的(de)協(xie)同發展。

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發表于 04-09 14:53 ? 22次 閱讀(du)
AI+智能客��tou)��低��tong)能帶來��ci)裁��me)服務

Black&Veatch正在依(yi)靠人工智能來自(zi)動(dong)化為(wei)支持zhi)浠/a>

Bigelow說(shuo)︰“我們希望我們的(de)專業deng)嗽yuan)在工作中有(you)很好的(de)經驗。”有(you)時,作為(wei)消費者,他(ta)們在工作以(yi)外的(de)....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:51 ? 66次 閱讀(du)
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禮(li)來AI自(zi)動(dong)執行不(bu)良反cong)Ρ /a>

來公(gong)司藥(yao)品開發部副總(zong)裁mei)嫘畔 im Coleman說(shuo)︰“我們的(de)主要(yao)業務推動(dong)力是提高生產(chan)率並降dang)痛 ...
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:48 ? 41次 閱讀(du)
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Nvidia公(gong)司已經收購hao)wiftStack Inc.

現有(you)的(de)SwiftStack客戶將繼續得到支持,其(qi)中包括PayPay Holdings Inc.,Ro....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:46 ? 55次 閱讀(du)
Nvidia公(gong)司已經收購��hao)��wiftStack Inc.

多樣化的(de)團隊(dui)可以(yi)幫助減少偏見算法

根據伯恩霍爾茨的(de)說(shuo)法,所有(you)數(shu)據都ji)怯you)偏見的(de),因為(wei)是人們在收集數(shu)據。她強調說(shuo)︰“而且我們正在將偏見建立....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:44 ? 47次 閱讀(du)
多樣化的(de)團隊(dui)可以(yi)幫助減少偏見算法

Hailo的(de)總(zong)融資shi)畬 攪800萬(wan)美元

B輪(lun)融資由現有(you)投資者牽頭(tou),ABB Technology Ventures,NEC Corp.和(he)Lat....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:42 ? 47次 閱讀(du)
Hailo的(de)總(zong)融資��shi)畬 攪��800萬(wan)美元

www.yf880.cc【实力雄厚】www.7g.ag運(yun)營商的(de)骨干網與(yu)5G網絡商用已同步進入了shuo)?00G時代

據了解,日前中國(guo)移動(dong)公(gong)布了其(qi)省(sheng)際(ji)骨干傳送網十三期新建工程傳輸(shu)設備集中采購中標(biao)候選人名單,華為(wei)技ji)跤you)限....
發表于 04-09 14:39 ? 23次 閱讀(du)
運(yun)營商的(de)骨干網與(yu)5G網絡商用已同步進入了��shuo)?��00G時代

人機大戰後人工智能變得怎(zen)樣

人工智能已經不(bu)再是qie)孿噬衩氐de)“黑科技”。人來人往(wang)中xiao) 鞘小(xiao)疤煆邸幣yi)刻不(bu)停地收錄(lu)著每張臉上的(de)喜(xi)怒(nu)哀樂。
發表于 04-09 14:38 ? 24次 閱讀(du)
人機大戰後人工智能變得怎(zen)樣

科學家成功研制(zhi)出新型(xing)鈣鈦礦發光二極管,既高效又穩定

據瑞典林雪平(ping)大學官網近(jin)日報道,該校(xiao)研究人員(yuan)與(yu)英國(guo)、中國(guo)以(yi)及捷克共和(he)國(guo)的(de)同事(shi)們合作開發出一(yi)款既高效又長....
的(de)頭(tou)像 獨愛72H 發表于 04-09 14:36 ? 125次 閱讀(du)
科學家成功研制(zhi)出新型(xing)鈣鈦礦發光二極管,既高效又穩定

怎(zen)樣去重(zhong)構智慧醫療

而在智慧醫院(yuan)的(de)管理方面,也可以(yi)將浪shun)蓖綺chan)品作為(wei)醫療私有(you)雲的(de)基礎,讓醫院(yuan)內(na)各部門生產(chan)數(shu)據通過底層網絡....
發表于 04-09 14:35 ? 24次 閱讀(du)
怎(zen)樣去重(zhong)構智慧醫療

www.6218a.com【实力雄厚】www.55191.am研究人員(yuan)提出了一(yi)個名為(wei)CommPlan的(de)框(kuang)架

使用CommPlan,開發人員(yuan)首先使用數(shu)據,領域專業知識(shi)和(he)學習算法指定五個模塊-任務模型(xing),通信功能,....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:30 ? 99次 閱讀(du)
研究人員(yuan)提出了一(yi)個名為(wei)CommPlan的(de)框(kuang)架

一(yi)份(fen)題為(wei)“自(zi)動(dong)語音(yin)識(shi)別(bie)中的(de)種(zhong)族(zu)差(cha)異”的(de)報告

清除語音(yin)項目是由Joy Buolamwini創建的(de)算法正義聯盟shuo)牟chan)品。參與(yu)計算機科學藝(yi)術作品的(de)參與(yu)者....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:28 ? 100次 閱讀(du)
一(yi)份(fen)題為(wei)“自(zi)動(dong)語音(yin)識(shi)別(bie)中的(de)種(zhong)族(zu)差(cha)異”的(de)報告

www.5123.com【周周彩金】www.h040.com智慧城市當中的(de)實時數(shu)據洞(dong)察怎(zen)樣改善

在商業和(he)交通領域,人工智能監控解決方案帶來更高效的(de)運(yun)營。
發表于 04-09 14:28 ? 22次 閱讀(du)
智慧城市當中的(de)實時數(shu)據洞(dong)察怎(zen)樣改善

OPPO與(yu)愛立信、聯發科合作,實現5G SA架構下的(de)語音(yin)與(yu)視頻通話

4月8日,OPPO宣(xuan)布與(yu)愛立信、聯發科合作,使用OPPO支持VoNR(Voice/Video ove....
的(de)頭(tou)像 牽手一(yi)起夢 發表于 04-09 14:21 ? 126次 閱讀(du)
OPPO與(yu)愛立信、聯發科合作,實現5G SA架構下的(de)語音(yin)與(yu)視頻通話

大數(shu)據的(de)本領有(you)多大

能預測(ce)未來的(de)智能型(xing)大數(shu)據會是銀行xing)誚鶉誑萍肌 呀鶉諫踔zhi)是人工智能等(deng)領域的(de)一(yi)個“硬通貨”。
發表于 04-09 14:21 ? 15次 閱讀(du)
大數(shu)據的(de)本領有(you)多大

有(you)關招聘AI和(he)ML專業deng)嗽yuan)的(de)詳細指南

在本文中xiao) 頤怯yu)您分享有(you)關招聘AI和(he)ML專業deng)嗽yuan)的(de)詳細指南,包括尋找(zhao)技能,根據情(qing)況應用的(de)招聘策略以(yi)及....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:20 ? 79次 閱讀(du)
有(you)關招聘AI和(he)ML專業��deng)嗽��yuan)的(de)詳細指南

疫情(qing)對5G產(chan)業產(chan)生了哪些負面影(ying)響

國(guo)內(na)疫情(qing)控制(zhi)已趨(qu)于平(ping)穩,隨著各行各業實現全(quan)面復工復產(chan),消費群(qun)體的(de)購買力也將逐漸回暖,疊加政府的(de)部分消....
發表于 04-09 14:19 ? 46次 閱讀(du)
疫情(qing)對5G產(chan)業產(chan)生了哪些負面影(ying)響

為(wei)什麼(me)一(yi)定要(yao)關注(zhu)智慧城市的(de)發展

“新基建”是5G、人工智能、數(shu)據中心、互聯網等(deng)科技ji)蔥鋁 蚧∩枋shi),以(yi)及教育、醫療、社(she)保等(deng)民生消費升....
發表于 04-09 14:19 ? 19次 閱讀(du)
為(wei)什麼(me)一(yi)定要(yao)關注(zhu)智慧城市的(de)發展

一(yi)個基于Microsoft聊天機器(qi)人Tay的(de)示例(li)

當意(yi)料之(zhi)外的(de)事(shi)情(qing)浮出水(shui)面時,我們可以(yi)期望的(de)最好的(de)辦法就是減少有(you)效應對負擔的(de)基礎設施(shi)。讓我們談談為(wei)AI....
的(de)頭(tou)像 倩倩 發表于 04-09 14:18 ? 40次 閱讀(du)
一(yi)個基于Microsoft聊天機器(qi)人Tay的(de)示例(li)

5G和(he)物聯網正在推動(dong)著家電產(chan)業dang)de)發展

從(cong)you)蠹jian)的(de)變化中xiao) 頤腔huo)許能夠更為(wei)深入地了解產(chan)品迭代的(de)趨(qu)勢和(he)人們消費習慣的(de)轉變。從(cong)80年代的(de)冰箱、彩....
發表于 04-09 14:16 ? 130次 閱讀(du)
5G和(he)物聯網正在推動(dong)著家電產(chan)業��dang)��de)發展

半導(dao)體材料有(you)什麼(me)種(zhong)類?

半導(dao)體材料從(cong)發現到發展,從(cong)使用到創新,擁(yong)有(you)這(zhe)一(yi)段(duan)長久的(de)歷(li)史。宰(zai)二十世紀(ji)tong)  馱zeng)出現過點(dian)接觸(chu)礦石檢波器(qi)。1930年,氧化亞銅(tong)整...
發表于 04-08 09:00 ? 32次 閱讀(du)
半導(dao)體材料有(you)什麼(me)種(zhong)類?

www.qy88.vip【即存即送】7018666.com以(yi)一(yi)敵(di)三的(de)商業智能BI是怎(zen)樣成功出圈的(de)?

論分析能力,海量(liang)數(shu)據的(de)分析挖掘眨眼間完(wan)成,不(bu)同瀏覽者都能獲得自(zi)己想要(yao)的(de)分析報表;論數(shu)據展示,圖(tu)形化分析報表讓人一(yi)眼看懂,...
發表于 04-03 17:03 ? 141次 閱讀(du)
以(yi)一(yi)敵(di)三的(de)商業智能BI是怎(zen)樣成功出圈的(de)?

半導(dao)體致(zhi)冷器(qi)有(you)什麼(me)cong)諾dian)?

半導(dao)體溫差(cha)致(zhi)冷是建立在法國(guo)物理學家Peltien帕爾帖效應(即(ji)溫差(cha)效應)基礎上的(de)具體應用。當電流流經兩種(zhong)不(bu)同性(xing)質的(de)導(dao)體形成接yong)..
發表于 04-03 09:02 ? 89次 閱讀(du)
半導(dao)體致(zhi)冷器(qi)有(you)什麼(me)��cong)諾��dian)?

半導(dao)體制(zhi)冷有(you)什麼(me)cong)湃que)點(dian)?

半導(dao)體制(zhi)冷的(de)機理主要(yao)是電荷載體在不(bu)同的(de)材料中處于不(bu)同的(de)能量(liang)級,在外電場的(de)作用下,電荷載體從(cong)高能級的(de)材料向低能級的(de)材料運(yun)動(dong)...
發表于 04-03 09:02 ? 78次 閱讀(du)
半導(dao)體制(zhi)冷有(you)什麼(me)��cong)湃��que)點(dian)?

微(wei)信半導(dao)體群(qun)

轉眼間2020年已經過去一(yi)個季度了,冬(dong)天說(shuo)走就走,春天也沒停留。各行各業dang)de)工作多多少少都ji)艿揭 qing)影(ying)響。悄悄地問一(yi)句,您的(de)事(shi)業...
發表于 03-28 12:16 ? 430次 閱讀(du)
微(wei)信半導(dao)體群(qun)

請問shi)趺me)單片機怎(zen)麼(me)控制(zhi)半導(dao)體片的(de)電流方向?

畢業設計的(de)要(yao)求是用單片機設計一(yi)個溫度測(ce)量(liang)電路,通過測(ce)量(liang)得到的(de)溫度re)??zhi)半導(dao)體片的(de)電流方向,從(cong)而達到控制(zhi)兩面的(de)溫度!這(zhe)個要(yao)...
發表于 03-25 00:26 ? 51次 閱讀(du)
請問��shi)趺��me)單片機怎(zen)麼(me)控制(zhi)半導(dao)體片的(de)電流方向?

大數(shu)據實時分析領域的(de)ClickHouse

ClickHouse大數(shu)據實時分析領域的(de)黑馬
發表于 03-24 11:09 ? 278次 閱讀(du)
大數(shu)據實時分析領域的(de)ClickHouse

【戰疫專題】第五期︰智慧物流,疫情(qing)之(zhi)中顯擔當

2020年,新型(xing)冠狀病毒席卷了整個中國(guo),同時也在促(chun)進著產(chan)業dang)de)變革與(yu)生活變化。電子發燒友yan)詿似詡渫瞥觥菊揭咦ㄌ狻炕畽dong),持續為(wei)...
發表于 03-18 11:00 ? 2177次 閱讀(du)
【戰疫專題】第五期︰智慧物流,疫情(qing)之(zhi)中顯擔當

人工智能、數(shu)據挖掘、機器(qi)學習和(he)深度學習的(de)關系

人工智能、數(shu)據挖掘、機器(qi)學習和(he)深度學習之(zhi)間,主要(yao)有(you)什麼(me)關系?...
發表于 03-16 11:35 ? 113次 閱讀(du)
人工智能、數(shu)據挖掘、機器(qi)學習和(he)深度學習的(de)關系

人工智能偵查有(you)哪些應用

【人工智能偵查的(de)應用領域】
發表于 03-16 11:28 ? 87次 閱讀(du)
人工智能偵查有(you)哪些應用

LM324LV 4 通道行業標(biao)準低電壓運(yun)算放(fang)大器(qi)

LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和(he)四個LM324LVoperational放(fang)大器(qi)或(huo)運(yun)算放(fang)大器(qi)。這(zhe)些器(qi)件(jian)采用2.7 V至(zhi)5.5 V的(de)低電壓工作。 這(zhe)些運(yun)算放(fang)大器(qi)是LM321,LM358和(he)LM324的(de)替代產(chan)品,適用于對成本敏感(gan)的(de)低電壓應用。一(yi)些應用是大型(xing)電器(qi),煙霧探測(ce)器(qi)和(he)個人shuo)繾硬chan)品。 LM3xxLV器(qi)件(jian)在低電壓下提供比LM3xx器(qi)件(jian)更好的(de)性(xing)能,並且功耗(hao)更低。運(yun)算放(fang)大器(qi)在單位增益(yi)下穩定,在過驅(qu)動(dong)條件(jian)下不(bu)會反相。 ESD設計為(wei)LM3xxLV系列提供了至(zhi)少2 kV的(de)HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有(you)行業標(biao)準的(de)封裝。這(zhe)些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和(he)TSSOP封裝。 特性(xing) 用于成本敏感(gan)系統(tong)的(de)工業標(biao)準放(fang)大器(qi) 低輸(shu)入失調電壓︰±1 mV 共模電壓範duan)? 擁(yong)單位增益(yi)帶寬︰1 MHz 低寬帶噪聲︰40 nV /ˇ Hz < li>低靜(jing)態電流︰90μA/Ch 單位增益(yi)穩定 工作電壓為(wei)2.7 V至(zhi)5.5 V 提供單,雙和(he)四通道變體 穩健(jian)的(de)ESD規範︰2 kV HBM 擴展溫度範duan)?40°C至(zhi)125°C 所有(you)商標(biao)均為(wei)其(qi)各自(zi)yun)you)者的(de)財產(chan)。 參數(shu) 與(yu)其(qi)它產(chan)品相比?通用 運(yun)算放(fang)大器(qi) ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
發表于 01-08 17:51 ? 1036次 閱讀(du)
LM324LV 4 通道行業標(biao)準低電壓運(yun)算放(fang)大器(qi)

TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉換率 RRIO 運(yun)算放(fang)大器(qi)

TLV9051,TLV9052和(he)TLV9054器(qi)件(jian)分別(bie)是單,雙和(he)四nao)yun)算放(fang)大器(qi)。這(zhe)些器(qi)件(jian)針(zhen)對1.8 V至(zhi)5.5 V的(de)低電壓工作進行了優化。輸(shu)入和(he)輸(shu)出可以(yi)以(yi)非常高的(de)壓擺率從(cong)軌到軌工作。這(zhe)些器(qi)件(jian)非常適用于需要(yao)低壓工作,高壓擺率和(he)低靜(jing)態電流的(de)成本受限應用。這(zhe)些應用包括大型(xing)電器(qi)和(he)三相電機的(de)控制(zhi)。 TLV905x系列的(de)容性(xing)負載驅(qu)動(dong)為(wei)200 pF,電阻(zu)性(xing)開環fei)涑鱟zu)抗使容性(xing)穩定更高,容性(xing)更高。 TLV905x系列易于使用,因為(wei)器(qi)件(jian)是統(tong)一(yi)的(de) - 增益(yi)穩定,包括一(yi)個RFI和(he)EMI濾波器(qi),在過載條件(jian)下不(bu)會發生反相。 特性(xing) 高轉換率︰15 V /μs 低靜(jing)態電流︰330μA 軌道-to-Rail輸(shu)入和(he)輸(shu)出 低輸(shu)入失調電壓︰±0.33 mV 單位增益(yi)帶寬︰5 MHz 低寬帶噪聲︰15 nV /ˇ Hz 低輸(shu)入偏置電流︰2 pA Unity-Gain穩定 內(na)部RFI和(he)EMI濾波器(qi) 適用于低tong)殺居τ玫de)可擴展CMOS運(yun)算放(fang)大器(qi)系列 工作電壓低至(zhi)1.8 V 由于電阻(zu)開環,電容負載更容易穩定輸(shu)出阻(zu)抗 擴展溫度範duan)?40°C至(zhi)125°C 所有(you)商標(biao)均為(wei)其(qi)各自(zi)yun)you)者的(de)財產(chan)。 參數(shu) 與(yu)其(qi)它產(chan)品相比?通用 運(yun)算放(fang)大器(qi) ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
發表于 01-08 17:51 ? 239次 閱讀(du)
TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉換率 RRIO 運(yun)算放(fang)大器(qi)

TMP422-EP 增強型(xing)產(chan)品,具有(you) N 因數(shu)和(he)串聯電阻(zu)校(xiao)正的(de) ±1°C 雙路遠程和(he)本地溫度傳感(gan)器(qi)

TMP422是具有(you)內(na)置本地溫度傳感(gan)器(qi)的(de)遠程溫度傳感(gan)器(qi)監視器(qi)。遠程溫度傳感(gan)器(qi)具有(you)二極管連接yong)de)晶體管 - 通常是低tong)殺荊PN-或(huo)者PNP - 類晶體管或(huo)者作為(wei)微(wei)控制(zhi)po)qi),微(wei)處理器(qi),或(huo)者FPGA組成部分的(de)二極管。 無需校(xiao)準,對多生產(chan)商的(de)遠程精度是±1°C。這(zhe)個2線串行接口(kou)接受SMBus寫字節,讀(du)字節,發送字節和(he)接收字節命令(ling)對此器(qi)件(jian)進行配置。 TMP422包括串聯電阻(zu)抵消,可編(bian)程非理想性(xing)因子,大範duan)?凍濤露炔ce)量(liang)(高達150℃),和(he)二極管錯誤檢測(ce)。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性(xing) SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感(gan)器(qi)(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感(gan)器(qi)(最大值) 串聯電阻(zu)抵消 n-因子you)U兩線/SMBus串口(kou) 多重(zhong)接口(kou)地址 二極管故障檢測(ce) RoHS兼容和(he)無Sb /Br 參數(shu) 與(yu)其(qi)它產(chan)品相比?數(shu)字溫度傳感(gan)器(qi) ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
發表于 01-08 17:51 ? 198次 閱讀(du)
TMP422-EP 增強型(xing)產(chan)品,具有(you) N 因數(shu)和(he)串聯電阻(zu)校(xiao)正的(de) ±1°C 雙路遠程和(he)本地溫度傳感(gan)器(qi)

LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器(qi)和(he)雙路線性(xing)穩壓器(qi)

LP8733xx-Q1專為(wei)滿足的(de)電源管理要(yao)求而設計,這(zhe)些處理器(qi)和(he)平(ping)台用于汽車應用中的(de)閉環性(xing)能。該器(qi)件(jian)具有(you)兩個可配置為(wei)單個兩相穩壓器(qi)或(huo)兩個單相穩壓器(qi)的(de)降壓直流/直流轉換器(qi)和(he)兩個線性(xing)穩壓器(qi)以(yi)及通用數(shu)字輸(shu)出信號。該器(qi)件(jian)由I 2 C兼容串行接口(kou)和(he)使能信號進行控制(zhi)。 自(zi)動(dong)PWM /PFM(AUTO模式)操作與(yu)自(zi)動(dong)相位增加/減少相結合,可在較寬輸(shu)出電流範duan) na)最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(ce)(采用兩相配置的(de)差(cha)分),可補償穩壓器(qi)輸(shu)出與(yu)負載點(dian)(POL)之(zhi)間的(de)IR壓降,從(cong)而提高輸(shu)出電壓的(de)精度qu)4送猓 梢yi)強制(zhi)開關時鐘進入PWM模式以(yi)及將其(qi)與(yu)外部時鐘同步,從(cong)而最大限度地降dang)透扇rao)。 LP8733xx-Q1器(qi)件(jian)支持可編(bian)程啟動(dong)和(he)關斷(duan)延遲與(yu)排序(包括與(yu)使能信號同步的(de)GPO信號)。在啟動(dong)和(he)電壓變化期間,器(qi)件(jian)會對出轉換率進行控制(zhi),從(cong)而最大限度地減小(xiao)輸(shu)出電壓過沖和(he)浪涌電流。 特性(xing) 具有(you)符合 AEC-Q100 標(biao)準的(de)下列特性(xing)︰器(qi)件(jian)溫度 1 級︰-40℃ 至(zhi) +125℃ 的(de)環境運(yun)行溫度範duan) shu)入電壓︰2.8V 至(zhi) 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器(qi)︰輸(shu)出電壓︰0.7V 至(zhi) 3.36V最大輸(shu)出電流 3A/相采用兩相配置的(de)自(zi)動(dong)相位增加/減少和(he)強制(zhi)多相操作采用兩相配置的(de)遠...
發表于 01-08 17:51 ? 247次 閱讀(du)
LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器(qi)和(he)雙路線性(xing)穩壓器(qi)

TPS3840 具有(you)手動(dong)復位和(he)可編(bian)程復位時ben)溲映俟δ艿de)毫(hao)微(wei)功耗(hao)高輸(shu)入電壓監控器(qi)

TPS3840系列電壓監控器(qi)或(huo)復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的(de)靜(jing)態電流和(he)溫度範duan)?TPS3840提供低功耗(hao),高精度qun)偷痛 ?映俚de)最佳組合(t p_HL =30μs典型(xing)值)。 當VDD上的(de)電壓低于負電壓閾值(V IT - )或(huo)手動(dong)復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯後(V IT + )和(he)手動(dong)復位( MR )時,復位信號被清除)浮動(dong)或(huo)高于V MR _H ,復位時ben)溲映  D )到期。可以(yi)通過在CT引(yin)腳(jiao)和(he)地之(zhi)間連接一(yi)個電容來編(bian)程復位延時。對于快速(su)復位,CT引(yin)腳(jiao)可以(yi)懸空。 附(fu)加功能︰低上電復位電壓(V POR ), MR 和(he)VDD的(de)內(na)置線路抗擾(rao)度que);hu),內(na)置遲滯,低開漏輸(shu)出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一(yi)款完(wan)美的(de)電壓監測(ce)解決方案,適用于工業應用和(he)電池(chi)供電/低功耗(hao)應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性(xing) 寬工作電壓︰1.5 V至(zhi)10 V 納米電源電流︰350 nA(典型(xing)值) 固(gu)定閾值dang)繆梗 IT - ) 閾值從(cong)1.6 V到4.9 V,步長為(wei)0.1 V 高精度︰1%(典型(xing)值) 內(na)置滯後(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≦3.1V= 100mV(典...
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TPS3840 具有(you)手動(dong)復位和(he)可編(bian)程復位時��ben)溲映俟δ艿��de)毫(hao)微(wei)功耗(hao)高輸(shu)入電壓監控器(qi)

INA240-SEP 采用增強型(xing)航(hang)天塑料且具有(you)增強型(xing) PWM 抑(yi)制(zhi)功能的(de) 80V、高/低側、零漂(piao)移電流檢測(ce)放(fang)大器(qi)

INA240-SEP器(qi)件(jian)是一(yi)款電壓輸(shu)出,電流檢測(ce)放(fang)大器(qi),具有(you)增強的(de)PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下lu)觳ce)分zhi)韉繾zu)上的(de)壓降範duan) wei)-4V至(zhi)80V,與(yu)電源電壓無關。負共模電壓允許器(qi)件(jian)在地下工作,適應典型(xing)電磁閥應用的(de)反激(ji)時ben)洹EnhancedPWM抑(yi)制(zhi)為(wei)使用脈(mai)沖寬度調制(zhi)(PWM)信號的(de)大型(xing)共模瞬變(ΔV/Δt)系統(tong)(如(ru)電機驅(qu)動(dong)和(he)電磁閥控制(zhi)系統(tong))提供高水(shui)平(ping)的(de)抑(yi)制(zhi)。此功能可實現精確的(de)電流測(ce)量(liang),無需大的(de)瞬態電壓和(he)輸(shu)出電壓上的(de)相關恢復紋(wen)波。 該器(qi)件(jian)采用2.7 V至(zhi)5.5 V單電源供電,最大電源電流為(wei)2.4 mA 。固(gu)定增益(yi)為(wei)20 V /V.零漂(piao)移架構的(de)低失調允許電流檢測(ce),分zhi)髕qi)上的(de)最大壓降dang)橢zhi)10 mV滿量(liang)程。 特性(xing) VID V62 /18615 抗輻射 單事(shi)lu)潘EL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至(zhi)20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一(yi)個裝配和(he)測(ce)試(shi)現場 一(yi)個制(zhi)造(zao)現場 可用于軍用(-55°C至(zhi)125°C)溫度範duan)ExtendedProduct生命周期 擴展產(chan)品更改通知 產(chan)品可追(zhui)溯性(xing) 用于低釋氣的(de)增強型(xing)模具化合物 增強型(xing)PWM抑(yi)制(zhi) 出色...
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INA240-SEP 采用增強型(xing)航(hang)天塑料且具有(you)增強型(xing) PWM 抑(yi)制(zhi)功能的(de) 80V、高/低側、零漂(piao)移電流檢測(ce)放(fang)大器(qi)

LM96000 具有(you)集成風扇控制(zhi)的(de)硬件(jian)監控器(qi)

LM96000硬件(jian)監視器(qi)具有(you)與(yu)SMBus 2.0兼容的(de)雙線數(shu)字接口(kou)。使用8位ΣΔADC,LM96000測(ce)量(liang)︰ 兩個遠程二極管連接晶體管及其(qi)自(zi)身裸片的(de)溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和(he)12V電源(內(na)部定標(biao)電阻(zu))。 為(wei)了設置風扇速(su)度,LM96000有(you)三個PWM輸(shu)出,每個輸(shu)出由三個溫度區域之(zhi)一(yi)控制(zhi)。支持高和(he)低PWM頻率範duan)?LM96000包括一(yi)個數(shu)字zhi)瞬ㄆqi),可調用該濾波器(qi)以(yi)平(ping)滑(hua)溫度讀(du)數(shu),從(cong)而更好地控制(zhi)風扇速(su)度qu)LM96000有(you)四個轉速(su)計輸(shu)入,用于測(ce)量(liang)風扇速(su)度qu)0ㄋyou)測(ce)量(liang)值dang)de)限制(zhi)和(he)狀ci) 拇嫫qi)。 特性(xing) 符合SMBus 2.0標(biao)準的(de)2線制(zhi)串行數(shu)字接口(kou) 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和(he)12V主板/處理器(qi)電源 監控2個遠程熱(re)二極管 基于溫度讀(du)數(shu)的(de)可編(bian)程tao)災鞣縞瓤?zhi) 風扇控制(zhi)溫度讀(du)數(shu)的(de)噪聲過濾 1.0°C數(shu)字溫度傳感(gan)器(qi)分辨(bian)率 3 PWM風扇速(su)度控制(zhi)輸(shu)出 提供高低PWM頻率範duan)4風扇轉速(su)計輸(shu)入 監控5條VID控制(zhi)線 24針(zhen)TSSOP封裝 XOR-tree測(ce)試(shi)模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
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LM96000 具有(you)集成風扇控制(zhi)的(de)硬件(jian)監控器(qi)

LM63 具有(you)集成風扇控制(zhi)的(de)準確遠程二極管數(shu)字溫度傳感(gan)器(qi)

LM63是一(yi)款帶集成風扇控制(zhi)的(de)遠程二極管溫度傳感(gan)器(qi)。 LM63精確測(ce)量(liang)︰(1)自(zi)身溫度qun)停)二極管連接yong)de)晶體管(如(ru)2N3904)或(huo)計算機處理器(qi),圖(tu)形處理器(qi)單元(GPU)和(he)其(qi)他(ta)ASIC上常見的(de)熱(re)敏二極管的(de)溫度qu)LM63遠程溫度傳感(gan)器(qi)的(de)精度針(zhen)對串聯電阻(zu)和(he)英特爾0.13μm奔(ben)騰4和(he)移動(dong)奔(ben)騰4處理器(qi)-M熱(re)敏二極管的(de)1.0021非理想性(xing)進行了工廠調整。 LM63有(you)一(yi)個偏移寄存器(qi),用于校(xiao)正由其(qi)他(ta)熱(re)二極管的(de)不(bu)同非理想因素引(yin)起的(de)誤差(cha)。 LM63還(huai)具有(you)集成的(de)脈(mai)沖寬度調制(zhi)(PWM)開漏風扇控制(zhi)輸(shu)出。風扇速(su)度是遠程溫度讀(du)數(shu),查找(zhao)表和(he)tu)拇嫫qi)設置的(de)組合。 8步查找(zhao)表使用戶能夠編(bian)程非線性(xing)風扇速(su)度與(yu)溫度傳遞函數(shu),通常用于靜(jing)音(yin)聲學風扇噪聲。 特性(xing) 準確感(gan)應板載大型(xing)處理器(qi)或(huo)ASIC上的(de)二極管連接2N3904晶體管或(huo)熱(re)二極管 準確感(gan)知其(qi)自(zi)身溫度< /li> 針(zhen)對英特爾奔(ben)騰4和(he)移動(dong)奔(ben)騰4處理器(qi)-M熱(re)二極管的(de)工廠調整 集成PWM風扇速(su)度控制(zhi)輸(shu)出 使用用戶可編(bian)程降dang)蛻?縞仍胍yin)8 -Step查找(zhao)表 用于 ALERT 輸(shu)出或(huo)轉速(su)計輸(shu)入,功能的(de)多功能,用戶可選引(yin)腳(jiao) 用于測(ce)量(liang)風扇RPM的(de)轉速(su)計輸(shu)入< /li> 用于測(ce)量(liang)典型(xing)應用中脈(mai)沖寬度調制(zhi)功率的(de)風扇轉速(su)的(de)Smart-Tach模式 偏移寄存器(qi)可針(zhen)對...
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LM63 具有(you)集成風扇控制(zhi)的(de)準確遠程二極管數(shu)字溫度傳感(gan)器(qi)

AWR1843 集成 DSP、MCU 和(he)雷達加速(su)器(qi)的(de) 76GHz 至(zhi) 81GHz 單芯片汽車雷達傳感(gan)器(qi)

AWR1843器(qi)件(jian)是一(yi)款集成的(de)單芯片FMCW雷達傳感(gan)器(qi),能夠在76至(zhi)81 GHz頻段(duan)內(na)工作。該器(qi)件(jian)采用TI的(de)低功耗(hao)45納米RFCMOS工藝(yi)制(zhi)造(zao),可在極小(xiao)的(de)外形尺寸內(na)實現前所未cong)you)的(de)集成度qu)AWR1843是汽車領域低功耗(hao),自(zi)監控,超精確雷達系統(tong)的(de)理想解決方案。 AWR1843器(qi)件(jian)是一(yi)款獨立的(de)FMCW雷達傳感(gan)器(qi)單芯片解決方案,可簡化在76至(zhi)81 GHz頻段(duan)內(na)實施(shi)汽車雷達傳感(gan)器(qi)。它基于TI的(de)低功耗(hao)45納米RFCMOS工藝(yi),可實現具有(you)內(na)置PLL和(he)A2D轉換器(qi)的(de)3TX,4RX系統(tong)的(de)單片實現。它集成了DSP子系統(tong),其(qi)中包含(han)TI的(de)高性(xing)能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器(qi)子系統(tong),負責(ze)無線電配置,控制(zhi)和(he)校(xiao)準。此外,該器(qi)件(jian)還(huai)包括一(yi)個用戶可編(bian)程ARM R4F,用于汽車接口(kou)。硬件(jian)加速(su)器(qi)模塊(HWA)可以(yi)執行雷達處理,並可以(yi)幫助在DSP上保存MIPS以(yi)獲得更高級別(bie)的(de)算法。簡單的(de)編(bian)程模型(xing)更改可以(yi)實現各種(zhong)傳感(gan)器(qi)實現(短,中xiao) ?  ?銥梢yi)動(dong)態重(zhong)新配置以(yi)實現多模傳感(gan)器(qi)。此外,該設備作為(wei)完(wan)整的(de)平(ping)台解決方案提供,包括參考硬件(jian)設計,軟件(jian)驅(qu)動(dong)程序,示例(li)配置,API指南和(he)用戶文檔(dang)。 特性(xing) FMCW收發器(qi) 集成PLL,發送器(qi),接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和(he)雷達加速(su)器(qi)的(de) 76GHz 至(zhi) 81GHz 單芯片汽車雷達傳感(gan)器(qi)

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂(piao)移、零交叉、真 RRIO 精密運(yun)算放(fang)大器(qi)

OPAx388(OPA388,OPA2388和(he)OPA4388)系列高精度運(yun)算放(fang)大器(qi)是超低噪聲,快速(su)穩定,零漂(piao)移,零交叉器(qi)件(jian),可實現軌到軌輸(shu)入和(he)輸(shu)出運(yun)行xiao)Uzhe)些特性(xing)及優異交流性(xing)能與(yu)僅為(wei)0.25μV的(de)偏移電壓以(yi)及0.005μV/°C的(de)溫度漂(piao)移相結合,使OPAx388成為(wei)驅(qu)動(dong)高精度模數(shu)轉換器(qi)(ADC)或(huo)緩沖高分辨(bian)率數(shu)模轉換器(qi)(DAC)輸(shu)出的(de)理想選擇。該設計可在驅(qu)動(dong)模數(shu)轉換器(qi)(ADC)的(de)過程中實現優異性(xing)能,不(bu)會降dang)拖 xing)度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和(he)SOIC-8三種(zhong)封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和(he)SO-8兩種(zhong)封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和(he)SO-14兩種(zhong)封裝。上述所有(you)版本在-40°C至(zhi)+ 125°C擴展工業溫度範duan) na)額定運(yun)行xiao)特性(xing) 超低偏移電壓︰±0.25μV 零漂(piao)移︰±0.005μV/°C 零交叉︰140dB CMRR實dao)RIO 低噪聲︰1kHz時為(wei)7.0nV /ˇ Hz 無1 /f噪聲︰140nV < sub> PP (0.1Hz至(zhi)10Hz) 快速(su)穩定︰2μs(1V至(zhi)0.01%) 增益(yi)帶寬︰10MHz 單電源︰2.5V至(zhi)5.5V 雙電源︰±1.25V至(zhi)±2.75V 真實軌到軌輸(shu)入和(he)輸(shu)出 已濾shun)鞜鷗扇rao)( EMI)/射頻干擾(rao)(RFI)的(de)輸(shu)入 行業標(biao)...
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OPA4388 10MHz、CMOS、零漂(piao)移、零交叉、真 RRIO 精密運(yun)算放(fang)大器(qi)

www.a5a6.vip【即存即送】www.ptk3.comTLV2314-Q1 3MHz、低功耗(hao)、內(na)置 EMI 濾波器(qi)的(de) RRIO 運(yun)算放(fang)大器(qi)

TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和(he)四通道運(yun)算放(fang)大器(qi)是qie)亂yi)代低功耗(hao),通用運(yun)算放(fang)大器(qi)的(de)典型(xing)代表。該系列器(qi)件(jian)具有(you)軌到軌輸(shu)入和(he)輸(shu)出(RRIO)擺幅,低靜(jing)態電流(5V時典型(xing)值為(wei)150μA),3MHz高帶寬等(deng)特性(xing),非常適用于需要(yao)在成本與(yu)性(xing)能間實現zhi)己悶ping)衡(heng)的(de)各類電池(chi)供電型(xing)應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸(shu)入偏置電流,是高阻(zu)抗傳感(gan)器(qi)的(de)理想選擇。 TLVx314-Q1器(qi)件(jian)采用穩健(jian)耐用的(de)設計,方便電路設計人員(yuan)使用。該器(qi)件(jian)具有(you)單位增益(yi)穩定性(xing),支持軌到軌輸(shu)入和(he)輸(shu)出(RRIO),容性(xing)負載高達300PF,集成RF和(he)EMI抑(yi)制(zhi)濾波器(qi),在過驅(qu)條件(jian)下不(bu)會出現反相並且具有(you)高靜(jing)電放(fang)電(ESD)保護(hu)(4kV人體模型(xing)(HBM))。 此類器(qi)件(jian)經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至(zhi)5.5V(±2.75V)的(de)低電壓狀ci) 鹿?韃 稍40°C至(zhi)+ 125°C的(de)擴展工業溫度範duan) na)額定運(yun)行xiao)TLV314-Q1(單通道)采用5引(yin)腳(jiao)SC70和(he)小(xiao)外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引(yin)腳(jiao)小(xiao)外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和(he)tong) ⊥廡緯嘰紓SSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引(yin)腳(jiao)薄型(xing)小(xiao)外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性(xing) 符合汽車類應用的(de)要(yao)求 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗(hao)、內(na)置 EMI 濾波器(qi)的(de) RRIO 運(yun)算放(fang)大器(qi)

DRV5021 2.5V 至(zhi) 5.5V 霍爾效應單極開關

DRV5021器(qi)件(jian)是一(yi)款用于高速(su)應用的(de)低壓數(shu)字開關霍爾效應傳感(gan)器(qi)。該器(qi)件(jian)采用2.5V至(zhi)5.5V電源工作,可檢測(ce)磁通密度,並根據預定義的(de)磁閾值提供數(shu)字輸(shu)出。 該器(qi)件(jian)檢測(ce)垂直于封裝面的(de)磁場。當施(shi)加yong)de)磁通密度超過磁操作點(dian)(B OP )閾值時,器(qi)件(jian)的(de)漏極開路fei)涑鑾qu)動(dong)低電壓。當磁通密度降dang)偷叫xiao)于磁釋tou)諾dian)(B RP )閾值時,輸(shu)出變為(wei)高阻(zu)抗。由B OP 和(he)B RP 分離產(chan)生的(de)滯後有(you)助于防止輸(shu)入噪聲引(yin)起的(de)輸(shu)出誤差(cha)。這(zhe)種(zhong)配置使系統(tong)設計更加強大,可抵抗噪聲干擾(rao)。 該器(qi)件(jian)可在-40°C至(zhi)+ 125°C的(de)寬環境溫度範duan) na)始終(zhong)如(ru)一(yi)地工作。 特性(xing) 數(shu)字單極開關霍爾傳感(gan)器(qi) 2.5 V至(zhi)5.5 V工作電壓V CC 範duan)磁敏感(gan)度選項(B OP ,B RP )︰ DRV5021A1︰2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2︰9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3︰17.9 mT,14.1 mT 快速(su)30-kHz感(gan)應帶寬 開漏輸(shu)出能夠達到20 mA 優化的(de)低壓架構 集成滯後以(yi)增強抗噪能力 工作溫度範duan)?40° C至(zhi)+ 125°C 標(biao)準工業封裝︰ 表面貼裝SOT-23 所有(you)商標(biao)均為(wei)其(qi)各自(zi)yun)you)者的(de)財產(chan)。 參數(shu) 與(yu)其(qi)它產(chan)品相比?霍爾效應鎖存器(qi)和(he)開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至(zhi) 5.5V 霍爾效應單極開關

www.ymf5.com【即存即送】www.188.ccTLV1805-Q1 具有(you)關斷(duan)功能的(de) 40V 微(wei)功耗(hao)推挽式汽車類高電壓比較器(qi)

TLV1805-Q1高壓比較器(qi)提供寬電源範duan)? 僕焓shu)出,軌到軌輸(shu)入,低靜(jing)態電流,關斷(duan)的(de)獨特組合和(he)快速(su)輸(shu)出響應。所有(you)這(zhe)些特性(xing)使該比較器(qi)非常適合需要(yao)檢測(ce)正或(huo)負電壓軌的(de)應用,如(ru)智能二極管控制(zhi)po)qi)的(de)反向電流保護(hu),過流檢測(ce)和(he)過壓保護(hu)電路,其(qi)中xing)僕焓shu)出級dui)糜誶qu)動(dong)柵極p溝dang)闌huo)n溝dang)OSFET開關。 高峰(feng)值dang)緦魍僕焓shu)出級是高壓比較器(qi)的(de)獨特之(zhi)處,它具有(you)允許輸(shu)出主動(dong)驅(qu)動(dong)負載到電源軌的(de)優勢具有(you)快速(su)邊(bian)緣速(su)率sheng)Uzhe)在MOSFET開關需要(yao)被驅(qu)動(dong)為(wei)高或(huo)低以(yi)便將主機與(yu)意(yi)外高壓電源連接或(huo)斷(duan)開的(de)應用中尤(you)其(qi)有(you)價值。低輸(shu)入失調電壓,低輸(shu)入偏置電流和(he)高阻(zu)態關斷(duan)等(deng)附(fu)加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以(yi)處理幾乎任何應用,從(cong)簡單的(de)電壓檢測(ce)到驅(qu)動(dong)單個繼電器(qi)。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標(biao)準,采用6引(yin)腳(jiao)SOT-23封裝,額定工作溫度範duan) wei)-40°C至(zhi)+ 125°C。 特性(xing) AEC-Q100符合以(yi)下結果︰ DeviceTemperature 1級︰-40°C至(zhi)+ 125°C環境溫度工作溫度 器(qi)件(jian)HBMESD分類等(deng)級2 器(qi)件(jian)CDM ESD分類等(deng)級C4A 3.3 V至(zhi)40 V電源範duan)低靜(jing)態電流︰每個比較器(qi)150μA 兩個導(dao)軌以(yi)外的(de)輸(shu)入共模範duan)相位反轉保護(hu) 推 - 拉輸(shu)出 250ns傳播延遲 低輸(shu)入失...
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TLV1805-Q1 具有(you)關斷(duan)功能的(de) 40V 微(wei)功耗(hao)推挽式汽車類高電壓比較器(qi)

TMP461-SP 耐tou)(RHA) 高精度遠程和(he)本地溫度傳感(gan)器(qi)

這(zhe)個遠程溫度傳感(gan)器(qi)通常采用低tong)殺痙至(zhi)?PN或(huo)PNP晶體管,或(huo)者基板熱(re)晶體管/二極管,這(zhe)些器(qi)件(jian)都ji)俏wei)處理器(qi),模數(shu)轉換器(qi)(ADC),數(shu)模轉換器(qi)(DAC),微(wei)控制(zhi)po)qi)或(huo)現場可編(bian)程tang)耪罅校(xiao)PGA)中不(bu)可或(huo)缺(que)的(de)部件(jian)。本地和(he)遠程傳感(gan)器(qi)均用12位數(shu)字編(bian)碼表示溫度,分辨(bian)率為(wei)0.0625°C。此兩線制(zhi)串口(kou)接受SMBus通信協(xie)議,以(yi)及多達9個不(bu)同的(de)引(yin)腳(jiao)可編(bian)程地址。 該器(qi)件(jian)將諸如(ru)串聯電阻(zu)抵消,可編(bian)程非理想性(xing)因子(η因子),可編(bian)程偏移,可編(bian)程溫度限制(zhi)和(he)可編(bian)程數(shu)字zhi)瞬ㄆqi)等(deng)高級特性(xing)完(wan)美結合,提供了一(yi)套(tao)準確度qun)涂谷rao)度更高且穩健(jian)耐用的(de)溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種(zhong)分布ji)揭2ce)應用中進行多位置高精度溫度測(ce)量(liang)的(de)理想選擇這(zhe)類集成式本地和(he)遠程溫度傳感(gan)器(qi)可提供一(yi)種(zhong)zhi)虻?de)方法來測(ce)量(liang)溫度梯度,進而簡化了航(hang)天器(qi)維(wei)護(hu)活動(dong)。該器(qi)件(jian)的(de)額定電源電壓範duan) wei)1.7V至(zhi)3.6V,額定工作溫度範duan) wei)-55 °C至(zhi)125°C。 特性(xing) 符合QMLV標(biao)準︰5962-1721801VXC 熱(re)增強型(xing)HKU封裝 經測(ce)試(shi),在50rad /s的(de)高劑量(liang)率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的(de)電離輻射總(zong)劑量(liang)(TID) 經測(ce)試(shi),在10mrad /s的(de)低tu)亮liang)率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的(de)電離輻射...
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TMP461-SP 耐��tou)����(RHA) 高精度遠程和(he)本地溫度傳感(gan)器(qi)

www.428.com【逢八就送】www.7645.comLP87524P-Q1 用于 AWR 和(he) IWR MMIC 的(de)四個 4MHz 降壓轉換器(qi)

LP87524B /J /P-Q1旨(zhi)在滿足各種(zhong)zhi)檔(dang)繚從(cong)τ彌凶鐶麓 砥qi)和(he)平(ping)台的(de)電源管理要(yao)求。該器(qi)件(jian)包含(han)四個降壓DC-DC轉換器(qi)內(na)核,配置為(wei)4個單相輸(shu)出。該器(qi)件(jian)由I 2 C兼容串行接口(kou)和(he)enableignals控制(zhi)。 自(zi)動(dong)PFM /PWM(自(zi)動(dong)模式)操作可在寬輸(shu)出電流範duan) na)最大限度地提高效率sheng)LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測(ce),以(yi)補償穩壓器(qi)輸(shu)出和(he)負載點(dian)(POL)之(zhi)間的(de)IR壓降,從(cong)而提高輸(shu)出電壓的(de)精度qu)4送猓  厥敝涌梢yi)強制(zhi)為(wei)PWM模式,也可以(yi)與(yu)外部時鐘同步,以(yi)最大限度地減少干擾(rao)。 LP87524B /J /P-Q1器(qi)件(jian)支持負載電流測(ce)量(liang),無需增加外部電流檢測(ce)電阻(zu)器(qi)。此外,LP87524B /J /P-Q1還(huai)支持可編(bian)程的(de)啟動(dong)和(he)關閉延遲以(yi)及與(yu)信號同步的(de)序列xiao)Uzhe)些序列還(huai)可以(yi)包括GPIO信號,以(yi)控制(zhi)外部穩壓器(qi),負載開關和(he)處理器(qi)復位。在啟動(dong)和(he)電壓變化期間,器(qi)件(jian)控制(zhi)輸(shu)出壓擺率,以(yi)最大限度地減少輸(shu)出電壓過沖和(he)浪涌電流。 特性(xing) 符合汽車應用要(yao)求 AEC-Q100符合以(yi)下結果︰ 設備溫度等(deng)級1︰-40°C至(zhi)+ 125°C環境工作溫度 輸(shu)入電壓︰2.8 V至(zhi)5.5 V 輸(shu)出電壓︰0.6 V至(zhi)3.36 V 四個高效降壓型(xing)DC-DC轉換器(qi)內(na)核︰ 總(zong)輸(shu)出電流高達10 A 輸(shu)出電壓gu)┐緶..
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和(he) IWR MMIC 的(de)四個 4MHz 降壓轉換器(qi)

TAS2562 具有(you)揚聲器(qi) IV 檢測(ce)功能的(de)數(shu)字輸(shu)入單聲道 D 類音(yin)頻放(fang)大器(qi)

TAS2562是一(yi)款數(shu)字輸(shu)入D類音(yin)頻放(fang)大器(qi),經過優化,能夠hui)you)效地將高峰(feng)值功率驅(qu)動(dong)到小(xiao)型(xing)揚聲器(qi)應用中xiao)D類放(fang)大器(qi)能夠在電壓為(wei)3.6 V的(de)情(qing)況下向6.1負載提供6.1 W的(de)峰(feng)值功率sheng)集成揚聲器(qi)電壓和(he)電流檢測(ce)可實現對揚聲器(qi)的(de)實時ben)囁亍Uzhe)允許在將揚聲器(qi)保持在安(an)全(quan)操作區域的(de)同時推動(dong)峰(feng)值SPL。具有(you)防止掉電的(de)電池(chi)跟蹤(zong)峰(feng)值dang)繆瓜拗zhi)po)qi)可優化整個充電周期內(na)的(de)放(fang)大器(qi)裕量(liang),防止系統(tong)關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有(you)四個器(qi)件(jian)共用一(yi)個公(gong)共總(zong)線 2 C接口(kou)。 TAS2562器(qi)件(jian)采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性(xing)能D類放(fang)大器(qi) 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為(wei)8Ω) 15μVrmsA加you) 障行諾澇 112.5dB SNR為(wei)1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋(wen)波頻率為(wei)20 - 20 kHz 83.5%效率為(wei)1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷(duan)VBAT電流 揚聲器(qi)電壓和(he)電流檢測(ce) VBAT跟蹤(zong)峰(feng)值dang)繆瓜拗zhi)po)qi),具有(you)欠壓預防 8 kHz至(zhi)192 kHz采樣率 靈活的(de)用戶界面 I 2 S /TDM︰8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C︰4個可選擇的(de)地址 MCLK免費操作 低流行並點(dian)...
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TAS2562 具有(you)揚聲器(qi) IV 檢測(ce)功能的(de)數(shu)字輸(shu)入單聲道 D 類音(yin)頻放(fang)大器(qi)

LM358B 雙路運(yun)算放(fang)大器(qi)

LM358B和(he)LM2904B器(qi)件(jian)是業界標(biao)準的(de)LM358和(he)LM2904器(qi)件(jian)的(de)下一(yi)代版本,包括兩個高壓(36V)操作放(fang)大器(qi)(運(yun)算放(fang)大器(qi))。這(zhe)些器(qi)件(jian)為(wei)成本敏感(gan)型(xing)應用提供了卓越的(de)價值,具有(you)低失調(300μV,典型(xing)值),共模輸(shu)入接yong)胤段(duan)?he)高差(cha)分輸(shu)入電壓能力等(deng)特點(dian)。 LM358B和(he)LM2904B器(qi)件(jian)簡化電路設計具有(you)增強穩定性(xing),3 mV(室溫下最大)的(de)低偏移電壓和(he)300μA(典型(xing)值)的(de)低靜(jing)態電流等(deng)增強功能。 LM358B和(he)LM2904B器(qi)件(jian)具有(you)高ESD(2 kV,HBM)和(he)tu) 傻de)EMI和(he)RF濾波器(qi),可用于最堅(jian)固(gu),極具環境挑戰性(xing)的(de)應用。 LM358B和(he)LM2904B器(qi)件(jian)采用微(wei)型(xing)tou)庾埃 li)如(ru)TSOT-8和(he)WSON,以(yi)及行業標(biao)準封裝,包括SOIC,TSSOP和(he)VSSOP。 特性(xing) 3 V至(zhi)36 V的(de)寬電源範duan)?版) 供應 - 電流為(wei)300μA(B版,典型(xing)值) 1.2 MHz的(de)單位增益(yi)帶寬(B版) 普(pu)通 - 模式輸(shu)入電壓範duan)? 擁(yong)兀 鼓芙擁(yong)?苯詠擁(yong)25°C時低輸(shu)入偏移電壓3 mV(A和(he)B型(xing)號,最大值) 內(na)部RF和(he)EMI濾波器(qi)(B版) 在符合MIL-PRF-38535的(de)產(chan)品上,除非另有(you)說(shuo)明,否則所有(you)參數(shu)均經過測(ce)試(shi)。在所有(you)其(qi)他(ta)產(chan)品上,生產(chan)加工不(bu)一(yi)定包括所有(you)參數(shu)的(de)測(ce)試(shi)。 所...
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LM358B 雙路運(yun)算放(fang)大器(qi)

LP87565-Q1 具有(you)集成開關的(de)四相 8A + 8A 降壓轉換器(qi)

LP8756x-Q1器(qi)件(jian)專為(wei)滿足各種(zhong)zhi)檔(dang)繚從(cong)τ彌凶鐶麓 砥qi)和(he)平(ping)台的(de)電源管理要(yao)求而設計。該器(qi)件(jian)包含(han)四個降壓直流/直流轉換器(qi)內(na)核,這(zhe)些內(na)核可配置為(wei)1個四相輸(shu)出,1個三相和(he)1個單相輸(shu)出,2個兩相輸(shu)出,1個兩相和(he)2個單相輸(shu)出,或(huo)者4個單相輸(shu)出。該器(qi)件(jian)由I 2 C兼容串行接口(kou)和(he)使能信號進行控制(zhi)。 自(zi)動(dong)脈(mai)寬調制(zhi)(PWM)到脈(mai)頻dang)髦zhi)(PFM)操作( AUTO模式)與(yu)自(zi)動(dong)增相和(he)切(qie)相相結合,可在較寬輸(shu)出電流範duan) na)最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸(shu)出的(de)遠程差(cha)分電壓檢測(ce),可補償穩壓器(qi)輸(shu)出與(yu)負載點(dian)(POL)之(zhi)間的(de)IR壓降,從(cong)而提高輸(shu)出電壓的(de)精度qu)4送猓 梢yi)強制(zhi)開關時鐘進入PWM模式以(yi)及將其(qi)與(yu)外部時鐘同步,從(cong)而最大限度地降dang)透扇rao)。 LP8756x- Q1器(qi)件(jian)支持在不(bu)添加外部電流檢測(ce)電阻(zu)器(qi)的(de)情(qing)況下進行負載電這(zhe)個序列可能包括用于控制(zhi)外部穩壓器(qi),負載開關和(he)處理器(qi)復位的(de)GPIO信號。在啟動(dong)和(he)電壓變化期間,該器(qi)件(jian)會對輸(shu)出壓擺率進行控制(zhi),從(cong)而最大限度地減小(xiao)輸(shu)出電壓過沖和(he)浪涌電流。 特性(xing) 符合汽車類標(biao)準 具有(you)符合AEC-Q100標(biao)準的(de)下列特性(xing)︰ 器(qi)件(jian)溫度1級︰-40℃至(zhi)+ 125℃的(de)環境運(yun)行溫度範duan)器(qi)件(jian)HBM ESD分類等(deng)級2 器(qi)件(jian)CDM ES...
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LP87565-Q1 具有(you)集成開關的(de)四相 8A + 8A 降壓轉換器(qi)

www.1333.com【即存即送】55js55.comLM2902LV 行業標(biao)準、低電壓放(fang)大器(qi)

LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和(he)四路LM2902LV運(yun)算放(fang)大器(qi)。這(zhe)些器(qi)件(jian)由2.7V至(zhi)5.5V的(de)低電壓供電。 這(zhe)些運(yun)算放(fang)大器(qi)可以(yi)替代低電壓應用中的(de)成本敏感(gan)型(xing)LM2904和(he)LM2902。有(you)些應用是大型(xing)電器(qi),煙霧探測(ce)器(qi)和(he)個人shuo)繾硬chan)品.LM290xLV器(qi)件(jian)在低電壓下可提供比LM290x器(qi)件(jian)更佳的(de)性(xing)能,並且功能耗(hao)盡。這(zhe)些運(yun)算放(fang)大器(qi)具有(you)單位增益(yi)穩定性(xing),並且yi)詮qu)情(qing)況下不(bu)會出現相位反轉.ESD設計為(wei)LM290xLV系列提供了至(zhi)少2kV的(de)HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標(biao)準封裝。這(zhe)些封裝包括SOIC,VSSOP和(he)TSSOP封裝。 特性(xing) 適用于成本敏感(gan)型(xing)系統(tong)的(de)工業標(biao)準放(fang)大器(qi) 低輸(shu)入失調電壓︰±1mV < LI>共模電壓範duan)? 擁(yong)單位增益(yi)帶寬︰1MHz的(de) 低寬帶噪聲︰40nV /ˇ赫(he)茲 低靜(jing)態電流︰90μA/通道 單位增益(yi)穩定 可在2.7V至(zhi)5.5V的(de)電源電壓下運(yun)行 提供雙通道和(he)四通道型(xing)號< /li> 嚴格的(de)ESD規格︰2kV HBM 擴展溫度範duan)?40°C至(zhi)125°C 所有(you)商標(biao)均為(wei)各自(zi)yun)you)者的(de)財產(chan)。 參數(shu) 與(yu)其(qi)它產(chan)品相比?通用 運(yun)算放(fang)大器(qi) ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行業標(biao)準、低電壓放(fang)大器(qi)

www.7558.com【周周彩金】www.gbqp.comLP87561-Q1 具有(you)集成開關的(de)四相 16A 降壓轉換器(qi)

LP8756x-Q1器(qi)件(jian)專為(wei)滿足各種(zhong)zhi)檔(dang)繚從(cong)τ彌凶鐶麓 砥qi)和(he)平(ping)台的(de)電源管理要(yao)求而設計。該器(qi)件(jian)包含(han)四個降壓直流/直流轉換器(qi)內(na)核,這(zhe)些內(na)核可配置為(wei)1個四相輸(shu)出,1個三相和(he)1個單相輸(shu)出,2個兩相輸(shu)出,1個兩相和(he)2個單相輸(shu)出,或(huo)者4個單相輸(shu)出。該器(qi)件(jian)由I 2 C兼容串行接口(kou)和(he)使能信號進行控制(zhi)。 自(zi)動(dong)脈(mai)寬調制(zhi)(PWM)到脈(mai)頻dang)髦zhi)(PFM)操作( AUTO模式)與(yu)自(zi)動(dong)增相和(he)切(qie)相相結合,可在較寬輸(shu)出電流範duan) na)最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸(shu)出的(de)遠程差(cha)分電壓檢測(ce),可補償穩壓器(qi)輸(shu)出與(yu)負載點(dian)(POL)之(zhi)間的(de)IR壓降,從(cong)而提高輸(shu)出電壓的(de)精度qu)4送猓 梢yi)強制(zhi)開關時鐘進入PWM模式以(yi)及將其(qi)與(yu)外部時鐘同步,從(cong)而最大限度地降dang)透扇rao)。 LP8756x- Q1器(qi)件(jian)支持在不(bu)添加外部電流檢測(ce)電阻(zu)器(qi)的(de)情(qing)況下進行負載電這(zhe)個序列可能包括用于控制(zhi)外部穩壓器(qi),負載開關和(he)處理器(qi)復位的(de)GPIO信號。在啟動(dong)和(he)電壓變化期間,該器(qi)件(jian)會對輸(shu)出壓擺率進行控制(zhi),從(cong)而最大限度地減小(xiao)輸(shu)出電壓過沖和(he)浪涌電流。 特性(xing) 符合汽車類標(biao)準 具有(you)符合AEC-Q100標(biao)準的(de)下列特性(xing)︰ 器(qi)件(jian)溫度1級︰-40℃至(zhi)+ 125℃的(de)環境運(yun)行溫度範duan)器(qi)件(jian)HBM ESD分類等(deng)級2 器(qi)件(jian)CDM ES...
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LP87561-Q1 具有(you)集成開關的(de)四相 16A 降壓轉換器(qi)
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